DIREÇÃO DE CRESCIMENTO DO SÓLIDO, COEFICIENTE DE TRANSFERÊNCIA DE CALOR INTERFACIAL E MICROESTRUTURA DE LIGAS HIPOEUTÉTICAS Al-Si

As ligas Al-Si e ligas de alumínio obtidas a partir desse binário são bastante utilizadas na indústria para a fabricação de componentes expostos a condições críticas de desgaste como peças de motor, pistões, cilindros, blocos e cabeçotes. Este vasto campo de aplicação pode ser justificado em virtude de o silício favorecer a fundibilidade do alumínio promovendo fluidez além de contribuir para redução do peso específico e da expansão térmica. Também fornece melhores propriedades mecânicas e maior resistência à corrosão e à propagação de defeitos como porosidades e trincas de contração (Cruz et al., 2010; Mathiesen et al., 2011). Convém salientar, no entanto, que existe uma variação do teor de silício nas ligas de alumínio mais utilizadas na prática em função das propriedades mecânicas que podem ser alcançadas em diferentes processos de fundição. Assim, o teor de silício pode variar entre 5% e 7% em processos que utilizam moldes refratários, 7% e 9% em moldes metálicos e 8% e 12% em moldes utilizados nos processos de fundição sob pressão (Rooy, 1988). Além disso, ligas de alumínio com teores de silício muito baixos (%Si ≤ 3%) também são utilizadas para fundição. Como exemplo de composições comerciais baseadas na liga Al-3%Si pode ser mencionada a liga ternária Al-4%Cu-3%Si que pode ser empregada na fabricação de corpos de válvulas de motores de combustão interna e peças fundidas similares que requerem estanqueidade à pressão, boas características de fundição, soldabilidade e resistência moderada (Rooy, 1990). Assim, pode-se observar a importância da realização de estudos que possam contribuir com a caracterização metalúrgica das ligas Al-3%Si, Al-5%Si, Al-7%Si e Al-9%Si através do entendimento do comportamento do coeficiente de transferência de calor interfacial e da formação estrutural das referidas ligas a partir dos efeitos promovidos por diferentes orientações de crescimento do sólido.